在较大的没有光刻胶的区域，横向和纵向的刻蚀速率都较大。这被称为刻蚀速率与深宽比的关联（aspect-ratio-denpent etching），其代表行为就是密集线条与独立线条之间刻蚀速率的差别（iso-dense bias）。线宽在1μm以下时必须考虑这一效应[1]。
参考文献：
[1] 韦亚一．超大规模集成电路先进光刻理论与应用．北京：科学出版社，2016.5：359-359